【摘 要】
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集电极峰值电流（ICM）、集电极-发射极击穿电压（VCEO）、最大耗散功率（PCM）、直流二次击穿临界电压（VSB）是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCA
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集电极峰值电流（ICM）、集电极-发射极击穿电压（VCEO）、最大耗散功率（PCM）、直流二次击穿临界电压（VSB）是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对ICM、VCEO、PCM及VSB影响。仿真结果表明：由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有
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