【摘 要】
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采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI 3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI 2晶
【机 构】
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陕西科技大学电气与信息学院陕西省平板显示技术工程研究中心,天津大学理学院天津市分子光电科学重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.61674116);国家重点研发计划(No.2016YFA0202300);陕西省自然科学基金(No.2016JQ622)~~
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采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI 3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI 2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20 sccm、20 min.将MAPbI 3单晶放置在空气中50天后,其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性,发现其开关比高达10^4,响应度为3.8×10^4 A/W,且具有较快的响应速度(上升时间:0.03 s;下降时间:0.15 s)
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