集电极扩散隔离,基极扩散隔离,三次掩蔽隔离及纵向各向异性腐蚀隔离

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【摘要】

：

在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)

【作者】

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王风秀

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

1972年2期

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在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)工艺数多,易降低成品率。可以说这两点妨碍了它的发展。双极集成电路,甚至在LSI的场合都是使用图1所示的结构。它是原封不动的在集成电路中采用了过去外延平面晶体管结构。但集成电路有两点限制,即:

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