【摘 要】
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N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前景广泛的N沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下.即位线宽度7.5μ,位线电容C_D比单元电容C_S等于或大于10的情况下,
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N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前景广泛的N沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下.即位线宽度7.5μ,位线电容C_D比单元电容C_S等于或大于10的情况下,设计了一种读出放大器,使之能读出200MV左右的信号.单元的面积是60×30μ~2,芯片的总面积为4×5 mm~2。
N-Channel Silicon Gate MOS Single-Cell 4096-bit dynamic random access memory, manufactured using the widest range of N-channel silicon gate technologies. Under less stringent process conditions, where the bit line width is 7.5μ and the bit line capacitance C_D is greater than the cell capacitance C_S equal to or greater than 10, a sense amplifier is designed to read a signal of about 200MV. The area is 60 × 30μ ~ 2, the total area of the chip is 4 × 5 mm ~ 2.
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