大束流离子注入形成COSi2／Si肖特基结电学特性

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【摘要】

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文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性.肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成.Co离子注入剂量为3×10 17 ion/cm2,注入电压25 kV.快速

【作者】

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张浩李英王燕田立林

【机构】

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清华大学微电子学研究所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2005年2期

【关键词】

：

肖特基结势垒高度电流-电压特性电容-电压特性 Schottky junction barrier height I-V characteristic

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文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性.肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成.Co离子注入剂量为3×10 17 ion/cm2,注入电压25 kV.快速热退火温度为850 °C,时间为1 min.应用I-V和C-V测量进行参数提取.I-V分析得到势垒高度约为0.64 eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72 eV.最后依据实验结果对工艺提出了改进意见.

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