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随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
纳米集成电路用硅基半导体材料
【摘 要】
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随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨
【机 构】
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半导体材料国家工程研究中心,北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2003年46期
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