纳米集成电路相关论文
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；M......
负偏置温度不稳定(NBTI)引发的动态参数偏差给集成电路的生命期可靠性带来严重威胁。已有的方法主要通过设计片上检测电路实时监测......
在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset, MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardeni......
回顾了国际上纳米集成电路低能质子单粒子效应,高能质子与高Z器件材料核反应等研究进展.介绍了北京HI-13串列加速器低能质子辐照实......
随着科学技术的快速发展，微电子事业也更加进步，促使传统的集成电路必须进行相应的革新，但微电子事业整体发展步伐趋于缓慢。文中从纳......
综合评述了300mm硅片在晶体生长、杂质行为、缺陷控制、表面质量等方面的研究现状和硅基材料的开发进展情况,指出应变硅与绝缘体上......
被称做“半导体奥林匹克”的国际固态电路会议将于2月6—10日在美国旧金山召开，这次第52届会议的主题是，Entering the Nanoelectroni......
本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势......
中芯国际集成电路制造有限公司是世界领先的集成电路芯片制造企业之一。公司提供0.35微米到45／40纳米集成电路制程工艺设计和制造服......
本文阐述了大直径硅单晶的生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状；讨论了应变硅与绝缘体上硅（SOI）相结合的发展趋势；......
一种被称为超立方体的多维结构，或许将成为未来纳米计算机的基本结构。美国奥克拉荷马大学的萨缪尔·李和劳埃德·霍克解释......
随着微电子制造工艺的发展,集成电路的特征尺寸逐渐缩小,目前已经进入纳米时代。纳米集成电路具有出色的性能、强大的功能和较低的......
本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形......
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗......
微捷码（Magma）日前宣布，AltaSens公司确定采用微捷码IC实现工具作为纳米集成电路设计平台。作为专为高清晰度视频领域提供高性能CMOS......
长期以来,半导体硅材料对信息产业发展起到了决定性的作用。当前纳米集成电路发展起来,使用硅基材料,器件功耗有所降低,运行速度提......
随着半导体器件的特征尺寸不断缩小,ESD保护电路设计变得越来越复杂。因此为先进的纳米级芯片提供良好的ESD防护能力变得很重要。......
静电放电(ESD, Electro-Static Discharge)是一种客观存在的自然现象,对于半导体集成电路具有极大的危害。尤其在纳米集成电路中,E......
在纳米尺度下,单粒子效应的不仅将对航空航天应用产生更为严重的影响,而且对90nm及其以下工艺的地面应用产生的影响也愈发突出、严......
随着超大规模集成电路的特征尺寸的缩小和密度的增大,互连在电路性能中起到了越来越重要的作用。静电放电脉冲(electrostatic disc......
集成电路产业作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育新兴产业、发展信息经济的重要保障。然而。我国集成电路......
