【摘 要】
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用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1
【机 构】
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天津铁道职业技术学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
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用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm^2.
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