【摘 要】
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采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3∶Mo)薄膜和ITO(In2O3∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较.结果表明,IMO薄膜的载流子迁移率
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采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3∶Mo)薄膜和ITO(In2O3∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较.结果表明,IMO薄膜的载流子迁移率高达100 cm2V-1s-1以上,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物(TCO)薄膜的载流子迁移率;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的0.35倍;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由于载流子受到的散射作用较弱所引起.这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释,为此引入复合效应进行分析.在IT
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