氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长

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报道了氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长工艺。采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF:SrF2:(AlF3+CrF3)=1:1:1的摩尔比配料,控制炉体温度于900-940℃,晶体生长速度为0.4-0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸(φ25mm×85mm)的优质完整的Cr:LiSAF单晶。
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