静电注入对55 nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shao402248950

【摘要】

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静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一.基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV) GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响.研

【作者】

：

王新泽毛海央金海波龙克文

【机构】

：

中国科学院大学微电子学院,北京100029;中国科学院微电子研究所,北京100029;中芯国际集成电路制造有限公司,北京100176;佛山市川东磁电股份有限公司,广东佛山528500

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2021年1期

【关键词】

：

静电注入静电防护栅极接地NMOS 中压/高压

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静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一.基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV) GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响.研究结果表明,对MV GGNMOS器件来说,静电注入能够在有效降低开启电压(Vt)、保持电压(Vh)的同时,减小对二次击穿电流(It2)的影响,且注入面积的改变对器件性能的影响极为有限;对HV GGNMOS器件来说,提高静电注入浓度能够有效提高静电防护能力.

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