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通过在Y2O3∶Eu^3＋和Gd2O3∶Eu^3＋发光材料中掺入Li^＋,Mg^2＋,Al^3＋等离子能有效地提高材料的发光强度,根据分子动力学和密度泛函计算的结果,认为这些离子多倾向于形成C2格位附近的间隙缺陷对,导致部分Y（Gd）—O的键长增加,提高了材料的量子效率的同时使得激发峰位出现红移,是引起材料发光增强的一个原因。