氮化硅针状晶体的制备

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lusx

【摘要】

：

采用Si粉直接氮化的方法制备氮化硅针状晶体.通过热力学计算,选择了晶体生长的温度和压力范围.探讨了温度、压力、添加剂等对针状晶体晶相、形貌、产率的影响,并在1850 ℃,Ca

【作者】

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张景贤江东亮谭寿洪归林华阮美玲

【机构】

：

中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

硅酸盐学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

针状晶体氮化硅长径比

【基金项目】

：

中国科学院基础研究项目;

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采用Si粉直接氮化的方法制备氮化硅针状晶体.通过热力学计算,选择了晶体生长的温度和压力范围.探讨了温度、压力、添加剂等对针状晶体晶相、形貌、产率的影响,并在1850 ℃,CaO质量分数为10%条件下,制备了长径比为4～10的β-Si3N4针状晶体,产率为68%.采用XRD,TEM,SEM对得到的氮化产物及针状晶体进行了表征.

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