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采用经典硼氢化反应，通过硼烷二级硫醚（BH3·SMe2）与二甲基二乙烯基硅烷（DVS）反应，合成了聚硼碳硅烷（PBCS）陶瓷先驱体，PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷．利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征；利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析．结果表明，聚合物的结构中含有B—c，si—c和c—H键，在1000℃氮气气氛中，其陶瓷产率在50％以上．陶瓷产物在1100℃以无定形态存在，硼含量高达6．46％，在1300℃时