论文部分内容阅读
本文报导丁GaAs表面上淀积液态源PECVD-SiO2膜掩蔽Zn扩散的规律,估算了Zn在SiO2膜和GaAs中扩散系数的比值为（1.04～1.85）×10-3,在700℃下Zn在GaAs中的横向扩散为结深的3～7倍。这种方法制备的SiO2膜已应用于GaAs电调变容二极管和LPE-Ga1-xAl-xAs/GaAs DH激光器的研制。