平板CRT概况

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qhl7901
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文简要地介绍了平板CRT发展概况,评述了平板CRT的基本问题,指出矩阵式驱动和电子束偏转系统结合的平板CRT可能是很有前途的一种方案。
其他文献
报道了关于双稳态扭曲液晶显示的动态性能和光学性能的研究结果。这种显示器由具有所需表面预倾角的向列液晶层加手性材料组成。其驱动波形的特征能在0°和360°两种
本文介绍了采用激光化学汽相淀积(LCVD)技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明,按要求建立了LCVD的实验装置后,只要适当控制源气体的化学配比与浓度,调节激光功率与衬底上
首先介绍动态激光图像的基本原理,然后分别论述了动态激光图像的颜色编码原理和用户调色板的生成以及象素和角度的寻址。这种图像是在Windows环境下,以Visual c++为编程工具,借于流行的图像软件
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热
本文就用于STN-LCD和其它高分辨率LCD的基板材料——丙烯酸酯塑料展开,研究了其热学、化学和机械学特性。比较塑料与玻璃基板特性之不同点对制造塑料LCD有非常重要的指导意义。
概述场发射显示器件的原理,结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。
对用于磁光法拉第旋转器件的掺Bi的YIG薄膜进行了介绍与分析,这种新型磁光薄膜(YbTbBi)3(FeGa)5O12是采用液相外延技术在CaMgZr:GGG晶片的(111)方向生长的,通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀,光吸收小,在波长λ=1.31μm和λ
本文介绍显示技术的新发展,场发射显示技术的掘起,场发射技术及真空技术,微显示技术的发展,从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。
本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论
介绍高速摄像器件在结构、设计方面的特点及相关电路。