1.55μm InGaAsP/InPDH激光器中的0.95μm发光带与Auger复合

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报道了在1.55μmInGaAsP/InP激光器中发现的0.95μm波长高能发光峰的一系列实验结果,并通过分析肯定了InGaAsP有源区的Auser复合是造成载流子向两侧InP限制层漏泄的主要原因,也是影响1.55μmInGaAsP/InPDH激光器T0值的主要因素。 A series of experimental results of the high energy emission peak at 0.95μm wavelength found in a 1.55μm InGaAsP / InP laser were reported. It was confirmed by analysis that the Auser recombination in the InGaAsP active region caused the leakage of carriers to the InP confinement layers on both sides The main reason is also the main factor that affects the T0 value of 1.55μmInGaAsP / InPDH laser.
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