【摘 要】
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描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善
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描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。
Describes the structure, working principle, design and manufacture of wide temperature UHF pnp bipolar electrostatic induction transistor. The test results show that when the ambient temperature rises from 23 ℃ to 180 ℃, the hFE of the device changes less than 40% with the average temperature, which is better than that of the conventional bipolar junction transistor of the same type, with an average improvement of 30%.
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