【摘 要】
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Sb2Te3（ST）薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度（～132℃）等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法（PLD）制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。
【机 构】
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复旦大学材料科学系上海200433
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Sb2Te3（ST）薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度（～132℃）等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法（PLD）制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜（AFM）对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0，12nm和0．58nm，表面较为平整。研究表明，PLD法制备的氮掺杂sT薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6at％的ST薄膜的置位电压和复位电压适
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