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SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。
SOI器件中浮体效应的研究进展
【摘 要】
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SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度
【机 构】
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旧中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国兵器工业第二一四研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2002年3期
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