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期刊论文
ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化
ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化
来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ding_zh
【摘 要】
:
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索,通过样品表征和等离子体成分探测,分析讨论了氮化机理。结果表明,这种方法可以用于硅表面的低温氮
【作 者】
:
钟晓霞
来冰
【机 构】
:
上海交通大学应用物理系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
:
真空科学与技术
【发表日期】
:
2000年2期
【关键词】
:
等离子体氮化
氮化硅
硅表面处理
薄膜制备
Electron cyclotron resonance
Plasma nitridation
Silicon ni
【基金项目】
:
高等学校博士点专项科研基金! ( 960 2 460 7),,国家自然科学基金! ( 69493 5 0 0 )
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利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索,通过样品表征和等离子体成分探测,分析讨论了氮化机理。结果表明,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理,获得大面积的均匀氮化硅表层。
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