【摘 要】
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基于130 nm CMOS工艺,设计了一种24 GHz工作频率的单刀双掷(SPDT)开关.该开关基于π型阻抗匹配网络,将浮体技术和堆叠晶体管结构应用于开关的并联臂、串联臂,实现了低插入损
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
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基于130 nm CMOS工艺,设计了一种24 GHz工作频率的单刀双掷(SPDT)开关.该开关基于π型阻抗匹配网络,将浮体技术和堆叠晶体管结构应用于开关的并联臂、串联臂,实现了低插入损耗、高隔离度和高线性度.仿真结果表明,该SPDT开关的插入损耗S21的-1.5 dB带宽为20～26 GHz.在20～26 GHz频率范围内,输入回波损耗S11小于-18 dB,输出回波损耗S22小于17 dB,隔离度S12大于32.2 dB.在频率24.5 GHz处,S21可达-1.45 dB,输入1 dB压缩点为17.36 dBm.
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