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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuxjmail

【摘 要】

：

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插

【作 者】

：

于广辉 雷本亮 孟胜 王新中 林朝通 齐鸣 

【机 构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

氮化镓 氢化物气相外延 低温氮化铝插入层 

【基金项目】

：

上海市自然科学基金(批准号:05ZR14139)和上海市国际合作计划(批准号:055207043)资助项目

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研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

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