射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linjr82

【摘要】

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用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的（110）SrTiO3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×105A/cm2,高度

【作者】

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顾爱国罗维根

【机构】

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中科院上海硅酸盐所,中科院上海硅酸盐所

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

1991年3期

【关键词】

：

超导薄膜射频磁控溅射钇钡铜氧

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用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的（110）SrTiO3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×105A/cm2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高Tc超导薄膜的关键。更多还原

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