【摘 要】
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为了改善ZrB2基超高温陶瓷的热冲击损伤抗性,采用冷等静压–无压烧结法在ZrB2–SiC–Graphite（ZSG）材料体系中引入孔隙制备ZSG多孔陶瓷,同时利用热压法制备了ZSG致密陶瓷作为对
【机 构】
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哈尔滨理工大学材料科学与工程学院; 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家青年科学基金(51602082);黑龙江省普通本科高等学校青年创新人才培养计划(UNPYSCT–2017083)资助
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为了改善ZrB2基超高温陶瓷的热冲击损伤抗性,采用冷等静压–无压烧结法在ZrB2–SiC–Graphite（ZSG）材料体系中引入孔隙制备ZSG多孔陶瓷,同时利用热压法制备了ZSG致密陶瓷作为对比材料,研究了2种ZSG陶瓷材料的力学性能,并探究了孔的引入对ZSG复合陶瓷热冲击性能的影响。结果表明:孔的引入降低了ZSG陶瓷的抗弯强度（由230.04 MPa降为98.12 MPa）和断裂韧性（由4.69 MPa·m1/2降为4.27 MPa·m1/2）,但孔的引入大大提升了ZSG陶瓷的临界裂纹尺寸（由132μm增长为602μm）。孔的引入明显提高了材料的残余强度保持率（由54%增长为84%）,即改善了ZrB2基陶瓷的热冲击损伤抗性。与其它材料体系不同的是,孔的引入还提高了ZSG复合陶瓷的临界温差,说明孔对ZSG复合陶瓷的热冲击断裂抗性和损伤抗性具有同时增强的效果。
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