【摘 要】
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引言TiO2是一种n型半导体,其禁带宽度大约为3.0eV(锐钛为3.2eV,金红石为3.0eV),当入射电磁波能量大于该禁带宽度时,将会激发价带到导带的电子跃迁,形成载流子分离,与周围环境
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引言TiO2是一种n型半导体,其禁带宽度大约为3.0eV(锐钛为3.2eV,金红石为3.0eV),当入射电磁波能量大于该禁带宽度时,将会激发价带到导带的电子跃迁,形成载流子分离,与周围环境作用会产生一系列光化学反应。TiO2的特性与其本身所具有的微观结构以及和流体间的相互作用有
Introduction TiO2 is an n-type semiconductor with a forbidden band width of about 3.0 eV (3.2 eV for anatase and 3.0 eV for rutile). When the incident electromagnetic energy is greater than the forbidden band width, it will excite the valence band to the conduction band Electronic transition, the formation of carrier separation, and the surrounding environment will produce a series of photochemical reactions. The properties of TiO2 and its own microstructure as well as the interaction with the fluid there
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