【摘 要】
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为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法
【机 构】
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太原理工大学化学化工学院,太原理工大学材料科学与工程学院
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为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的电子结构以及不同掺杂比例时的形成能.结果表明：Sb替代Sn后,晶格常数与晶胞体积均增加,但掺杂形成能随掺杂量变化不大,在掺杂量为0.083时掺杂形成能达到最低值5.08eV,稳定性最好.掺杂Sb后,在费米能级至最低导带处存在Sb5s电子态分布,产生施主能级;同时
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