有机薄膜器件负电阻特性的影响因素

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hzqingqingcao
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据.实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响.在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8.负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响.提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电
其他文献
采用Pechini溶胶-凝胶法合成了Sr2CeO4粉末.利用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、热重及差热分析(TG-DTA)以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究.
几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火.通过X射线衍射(XRD)谱和光致
以典型的有机发光材料Alq3为发光层制作了结构为Glass/Ag/PVK/Alq3/Al的微腔器件.与普通的电致发光器件相比较,研究了腔内模式密度的变化、峰值强度的增强、以及光谱的窄化和
从扩展的Ginder-Epstein(GE)模型出发,计入静电场,数值模拟了有限长开链聚对苯亚胺(pernigraniline-base)中的激子态.计算表明,当场强为零时,激子是自陷(self-trapped)束缚的
研究了Eu3+掺杂铌磷与铌硅系列玻璃的发射光谱,声子边带谱及5D0能级寿命,计算了样品的强度参数.随着Nb2O5浓度的增加,Eu-O键强增大,共价性增强,Eu3+的局域环境对称性降低,电-
对蓝光材料DPVBi掺杂红光染料DCJTB的发光性质进行了研究.首先研究了DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB的光致发光,当掺杂质量浓度为0.1%时,光致发光得到白光(色度x=0.36,y=0.34).
研究了聚合物PVK与TiO2分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S1(ITO/TiO2/PVK/Al)和器件S2(ITO/PVK/TiO2/Al).实验发现,器件S1的暗电流远小于器件S2的暗电