【摘 要】
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利用XRD技术研究了三斜晶系普通硅灰石在酸解形成二氧化硅材料过程中晶体结构的变化.结果表明:三斜晶系普通硅灰石在浓度为2 mol/L HCl溶液中的酸解浸蚀方向严格受晶体结构控
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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利用XRD技术研究了三斜晶系普通硅灰石在酸解形成二氧化硅材料过程中晶体结构的变化.结果表明:三斜晶系普通硅灰石在浓度为2 mol/L HCl溶液中的酸解浸蚀方向严格受晶体结构控制,酸解初期晶粒首先并主要沿垂直于[100]带轴方向浸蚀,结果导致衍射面(100),(200)和(300)的衍射强度增大;随着酸解时间的延长,[SiO4]单四面体与[CaO6]八面体共棱连接方向成为主要浸蚀方向,在XRD图谱中表现为d=0.298 nm衍射峰-直保持较大的衍射强度.酸解反应过程中,三斜晶系普通硅灰石除被转变成mSiO
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