高T_c超导薄膜2×2阵列式红外探测器研究

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进行了GaBa2Cu3O7-δ2×2阵列式红外探测器的实验研究,设计研制了两种形状的2×2阵列芯片,并对芯片单元器件的基本性能进行了观测,经过筛选,同一芯片上四个单元器件的Tc值和起始转变点到零电阻的电阻落差值的差异5%。在总偏置电流为1mA时,程序控制扫描测试器件的噪声等效功率NEP(500,10,1)9×10-12WHz,探测率D6.4×109cmHzw,响应率Rv>2580V/W。 The experimental research of GaBa2Cu3O7-δ2 × 2 array infrared detector was carried out. Two kinds of 2 × 2 array chips were designed and fabricated, and the basic performance of the chip unit was observed. After screening, four units on the same chip The difference between the Tc value of the device and the drop in resistance at the initial transition point to zero resistance is 5%. When the total bias current is 1mA, the noise equivalent power NEP (500,10,1) 9 × 10-12WHz, detection rate D6.4 × 109cmHzw and response rate Rv> 2580V / W are controlled by the program control scanning test device.
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