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具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH3NH3Pbl3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽（Ta2O5）作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH3NH3Pbl3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH3NH3Pbl3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7× 10^-5cm^2·V^-1·s^-1,此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH3NH3Pbl3多晶薄膜的SiO2底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH3NH3Pbl3单晶场效应晶体管的性能