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评述了国际上δ掺杂样品SIMS分析的现状,研究了相关的基础实验技术,讨论了分析硅δ掺杂的AlGaAs样吕时,选择高质量分辨及对不同一次离子参量下相对灵敏度因子进行校准的必须性,考察了一次束的展宽效应的δ掺杂层位置的微分飘移,对硅δ掺杂的AlGaAs样品用O2^+源进行了定量分析,并对结果作了讨论。