Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunxiaoyan
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将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下Si场致发射的基本方程.应用转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.得到的结果比WKB近似方法更加接近于FN理论的结果.
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