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期刊论文
Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析
Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析
来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunxiaoyan
【摘 要】
:
将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下Si场致发射的基本方程.应用转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.得到的结果比WKB近似方
【作 者】
:
桑明煌
张祖兴
么晓征
樊明新
詹黎
【机 构】
:
江西师范大学物理与通信电子学院,上海交通大学应用物理系,山东省菏泽市丹阳实验中学
【出 处】
:
光电子·激光
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
Si表面
电子发射
场致发射
转移矩阵
量子能级
量子阱
势阱
quantum well potential barrier field-emission qu
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将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下Si场致发射的基本方程.应用转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.得到的结果比WKB近似方法更加接近于FN理论的结果.
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