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我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37As/InP压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K,发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关,对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单