【摘 要】
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英国 STC 及卡文迪斯实验室报导了采用高压电子束曝光、化学蚀刻配合 LPE 及 MOCVD外延技术,制备1.5μm InGaAsP 一级光栅的分布反馈(DFB)半导体激光器。该激光器采用一级分
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英国 STC 及卡文迪斯实验室报导了采用高压电子束曝光、化学蚀刻配合 LPE 及 MOCVD外延技术,制备1.5μm InGaAsP 一级光栅的分布反馈(DFB)半导体激光器。该激光器采用一级分布反馈光栅,比起一般用的高阶光栅有较好的耦合效率及性能。一般的 DFB 激光器是采用全息曝光的方法制备光刻胶的周期光栅的,但由它得到的光栅
British STC and Cavendish Laboratories reported distributed feedback (DFB) semiconductor lasers with a 1.5μm InGaAsP first-order grating using high-pressure electron beam lithography, chemical etching combined with LPE and MOCVD epitaxy. The laser using a distributed feedback grating, compared with the general high-order grating has better coupling efficiency and performance. A typical DFB laser uses a holographic exposure method to prepare a periodic grating of a photoresist, but the grating obtained by it
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