背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度

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<正> 在制造同轴锗(锂漂移)探测器时,为了减少表面漏电流、降低噪声,需要在锗表面生长一层有一定厚度的氟化钙复盖膜。因此,在选择加工工艺条件时,要求测量此层的厚度。 背散射分析一般不适合于测量重基体表面上的轻材料薄膜.我们用测量基体背散射能谱的位移量的方法,测出了锗(锂漂移)表面上氟化钙薄膜的厚度。
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