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本文介绍了对Si/Si1-x Gex异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高fT≈fmax设计的,模拟研究表明,(1)Si/Si1-xGex HBT具有64GHz的峰值fT(=fmax),它比Si BJT提高了16.4%,(2)发射极充电时间对,高频性能有相当大的影响,即使电流密度高达80kAcm^-2时也是如此;(3)SiGe基区组分梯度和基区掺杂分布强烈影响着fT和fmax,研究发现高斯梯度分布具有最高的峰值fT=fmax,据估计其峰值截止