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PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用 第Ⅰ部分:PECVD SiN的制备及其组分和
PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用 第Ⅰ部分:PECVD SiN的制备及其组分和
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daniel86999
【摘 要】
:
叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD
【作 者】
:
罗海云
【机 构】
:
电子部第13研究所石家庄050051
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1993年6期
【关键词】
:
等离子淀积
氮化硅
场效应晶体管
PECVD
SiN
GaAsFET
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叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD SiN性能及其与工艺条件的关系,着重叙述在GaAs器件中的应用和对器件性能的影响。
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