【摘 要】
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利用籽晶的横向增长法,在SrTiO_3单晶面上形成图形化的Pt电极薄膜上制作c轴取向PbTiO_3薄膜。这种结构相当于复合体波谐振器,因此可以测量出这种试样的阻抗特性,并观察到一组
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利用籽晶的横向增长法,在SrTiO_3单晶面上形成图形化的Pt电极薄膜上制作c轴取向PbTiO_3薄膜。这种结构相当于复合体波谐振器,因此可以测量出这种试样的阻抗特性,并观察到一组谐振和反谐振特性。采用普通的电路模武,可从电阻抗的分析中求得PbTiO_3薄膜的机电耦合系数k_t达0.8。
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