X波段渡越辐射振荡器的理论和实验

来源 :中国工程物理研究院科技年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:simuwuzx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了电子束在任意驻波场中的渡越辐射,并结合课题的需要探索了基于渡越辐射在X波段产生高功率微波的可行性。研究工作包括以下部分。
其他文献
在新时代的影响下,教育部颁发了新的课程标准,以此来推动各项教育教学有新的发展,传统的一些教学形态已经出现了很多弊端,直接影响了学生对语文阅读的积极性,小学语文阅读教学也走
保定,这个国内第上大人口城市的华北重镇,历来是中国中重卡车汇集之地,每年的市场保有量在2000辆以上。在记者连续多日的采访之后,我们欣喜地发现,红岩重卡近年来销售持续走高。
在我国科学技术高速发展的背景下,越来越多新型的教学资源纷纷涌现而出,而微课就是其中一种,具有着短小精悍的特点,是教师在教学中的得力助手。因此,小学教师在开展数学教学
在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面
初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity—spoiling grooves)将有源层刻蚀
对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了
世界著名豪华车品牌LEXUS雷克萨斯旗下的全新旗舰车型——LS460L尊贵加长版,是LEXUS雷克萨斯经典车型LS系列的第四代全新车型,也是该品牌的第一款加长型轿车。