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运用射频磁控溅射技术，改变工作压（3—10Pa）在玻璃衬底上生长透明导电ZnO：Al（ZAO）样品，采用XRD、紫外一可见分光光度计、霍尔效应测量仪及SEM对薄膜微结构、厚度及其光电性能表征。结果发现：随着工作压增大，样品XRD曲线由多峰转变为（002）单峰，峰强变大半高宽减小，晶粒尺寸由10．01nm增大到13.46nm，薄膜结晶性能变好；紫外可见光光谱在400～760nm波长区间平均透射率均在85％以上，且在400nm以下均有吸收边峰出现，样品带隙宽度随工作压增加有蓝移现象，样品厚度随工作压增加从10