高k栅介质Al微掺杂HfO2电学特性研究

来源 :北方工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wk8954642
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随着纳米器件的进一步微缩,Hf基高k材料已无法满足其发展需求,需要引入新的高k材料.为了减小纳米器件的等效氧化层厚度(EOT),向HfO2中掺入Al元素,并分别在N2、O2氛围下,对其进行不同时间(15s、30s和60s)的后沉积退火(PDA),退火温度为650℃.结果表明,随着退火时间的增加,O2中样品的EOT、栅极泄漏电流(Ig)以及平带电压(Vfb)均未出现明显变化,而N2中样品的EOT在退火时间为30s时急剧下降,h也有昕上升.最终,退火温度650℃,退火时间30s为最佳退火条件,此时EOT为0.
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