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钽溅射靶材主要用于集成电路中导线的扩散阻挡层,其溅射性能受微观组织影响较大。本文采用电子背散射衍射（EBSD）技术,结合Extend Cahn-Hagel模型对周向轧制钽板的再结晶行为进行分析。并侧重于钽板再结晶初、中期与取向相关的晶粒生长速率的研究。结果表明,{111}〈uvw〉（〈111〉//ND）晶粒具有生长优势,初始阶段生长速率约为同期{001}〈uvw〉（〈100〉//ND）晶粒的1.6倍。