【摘 要】
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航天部502所在研制薄膜型锰、镍、钴氧化热敏电阻器的基础上,为改善其畸变特性,于八十年代起研制上列三元素氧化物薄膜型热敏电阻器。结果表明在性能参数上优于薄片型的,在
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航天部502所在研制薄膜型锰、镍、钴氧化热敏电阻器的基础上,为改善其畸变特性,于八十年代起研制上列三元素氧化物薄膜型热敏电阻器。结果表明在性能参数上优于薄片型的,在工艺方面采用反应离子镀膜方法,所需主要设备仅为一般的真空镀膜机(例如DM-450)、高频发生器、压强控制仪等。三元系材料置入夹
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