ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化

来源 :内蒙古师范大学学报:自然科学汉文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhx35003
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考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别.
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