近年来,一维半导体异质结纳米材料成为当今纳米材料科学的研究热点。一维半导体异质结除了具备同质纳米线的特性又具有同质纳米线......

光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关......

考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......

用低压－－金属有机化学气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法生长了ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ和ＺｎＴＥＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱。在生长室压力３８ｔｏｒｒ，衬底面积１９×２０ｍｍ＾２的ＧａＡｓ衬底上，生长１００周期的ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＭＱＷｓ，经扫描电镜测量，生长不均匀性仅......