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以AIN粉末为原料，添加稀土氧化物（Sin203、Y203），在氮气气氛下，采用SPS烧结方法制备A1N陶瓷，研究稀土氧化物的掺杂对AIN烧结试样相组成、微观结构和电性能的影响。实验表明：Sm203、Y203与A1203反应生成的液相稀土金属铝酸盐会提高AIN陶瓷致密度，且在晶界处形成导电通路降低了AIN陶瓷电阻率。随着Sm203掺杂量的增加，晶界相逐渐由Sm4A1209过渡到SmAl03，且SmaAl209对电阻率贡献最大。其中，3wt％Sm203掺杂AIN陶瓷电阻率最低，为1．32×10^1