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由于器件的快速退化，１０１．５小时似乎成了ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ－Ⅵ族四元合金（如ＺｎＭｇＳＳｅ）只能对ＳｎＳｅ中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制；而对ＢｅＴｅ，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ＺｎＳｅ（或ＢｅＴｅ）活性层空穴（或电子）漏电发