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本文对ＰｔＳＩ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０＾－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。
PtSi／P—Si红外探测器的优化设计与制作
【摘 要】
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本文对ＰｔＳＩ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０＾－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。
【机 构】
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西安交通大学电子工程系
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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1995年5期
【基金项目】
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国家863资助项目
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