本文对ＰｔＳＩ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０＾－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效......